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单层式 (SLC) NAND 型闪存

W29N01


型号

电压

频率

温度

结构

W29N01GV

2.7V~3.6V

25ns

-40~85

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x8

W29N01GZ

1.7V~1.95V

35ns

-40~85

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x8

W29N01GW

1.7V~1.95V

35ns

-40~85

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x16

W29N01HV

2.7V~3.6V

25ns

-40~85

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x8


工作电压: 2.7V  3.6V 
数据总线: x8 
工作温度: 商业级: 0°C to 70°C 
工业级: -40°C to 85°C 
单个存储单元技术 
容量: 1G-/128M-字节 
页大小: 2,112 字节 (2048 + 64 字节) 
块大小: 64  (128K + 4K 字节) 
随机读取: 25微秒 
按顺序读取: 25ns 
每页编程时间: 250微秒(典型值.)
块擦除时间: 2毫秒(典型值.)
标准 ONFI NAND 命令集 
内存区域支持OTP


W29N02GV


型号

电压

频率

温度

结构

W29N02GV

2.7V~3.6V

25ns

-40~85/-40 to +105

2048+64Byte page size 128K+4KByte block size x8


工作电压: 2.7V  3.6V 
数据总线: x8  
工作温度: 工业级: -40°C to 85°C , 汽车级: -40°C to 105°C
单个存储单元技术
容量: 2G-/256M-字节
页大小: 2,112 字节 (2048 + 64 字节)
块大小: 64  (128K + 4K 字节) 
随机读取: 25微秒 
按顺序读取: 25ns 
每页编程时间: 250微秒(典型值.)
块擦除时间: 2毫秒(典型值.)
标准 ONFI NAND 命令集 
内存区域支持OTP